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產品介紹

TGkine系列(全磁浮/電源一體式)

TGkine系列(全磁浮/電源一體式)

型號:TGkine
規格:TGkine1700M ~ TGkine4200M
控制器與電源一體化
不需要Output Cable、也不需要Rack箱放置Controller
優異的排氣性能、超高壓縮比
可與前級幫浦同時啟動、縮短排氣時間
針對蝕刻製程有專利設計
可在110~450 rps範圍內自由調整轉速

TGkine 系列 · 磁浮式渦輪分子幫浦 (Magnetically Levitated Turbo Molecular Pump)

TGkine 1700M ~ 4200M
高階工業複合分子幫浦

搭載新世代複合型渦輪分子幫浦技術,具備高整合度空間優勢、業界領先的高氣體吞吐量,以及極致穩定的五軸磁浮軸承控制系統,專為嚴苛的半導體與先進薄膜製程所設計。

日本大阪真空 臺灣官方代理・維修據點|九德松益 抽氣速率:1,650 – 4,200 L/s (N2) 速度控制:110 – 450 rps 線上可變頻 國際標準:符合 CE / NRTL / SEMI-S2 規範

效能指標總覽 (Performance Overview)

最小抽氣速率
1,650
L/s (TGkine 1700M 氮氣)
最大抽氣速率
4,200
L/s (TGkine 4200M 氮氣)
到達極限壓力
<2×10⁻⁷
Pa (烘烤烘乾後之基準值)
轉速變頻範圍
110-450
rps (動態即時速度變更控制)

TGkine 雙模組系統配置

TGkine-B內建控制器整合型系列
控制單元機身一體化整合 (內建電源供應)
安裝優勢無須傳統連接電纜/機架,簡化組裝並降低系統成本
防護等級符合 IP54 標準 (具備高防塵防水規格)
安裝方向全方位自由安裝 (適用於 1700M ~ 3400M)
TGkine-R獨立分體式機架控制系列
控制單元TC030M 獨立遠端式機架控制器
數據管理重要運行數據直接記憶於幫浦機身端
維護效益即使更換外部控制器,核心調校數據亦不遺失
安裝方向支援任意角度 (3800/4200 高負載款建議垂直)

核心技術優勢 (Key Technical Features)

  •  

    一體化內建控制器與電源供應

    幫浦本體直接整合控制器與電源供應器。免除繁瑣的通訊互連電纜、線槽以及機架安裝空間,大幅簡化機台內部配線布局,有效節省系統整合成本。

  •  

    高適應性真空性能平衡性

    在極寬廣的真空操作製程範圍內,皆具備卓越的高性能表現。結合先進的複合型葉片結構,能提供最佳化的抽氣曲線與穩定壓力。

  •  

    支援大氣壓同步快速啟動

    可與前級幫浦連鎖,直接自大氣壓環境下同步啟動運轉,顯著縮短了系統初期的抽真空時間(Pump down time),大幅提升產線循環產能。

  •  

    獨家蝕刻製程專利結構設計

    具備針對蝕刻(Etching)製程優化的專利設計。配置高效能的內部加熱控溫與特殊的抗腐蝕鍍層,徹底杜絕反應副產物在幫浦內部沉積結晶的風險。

  •  

    動態即時可變轉速變頻控制

    支援線上即時動態可變轉速調整 (110 rps - 450 rps),製程工程師能根據精密微環境壓力需求,彈性調校最佳抽氣效率。

吸氣口法蘭規格標準 (Vacuum Interface)

ISO-B 法蘭
ISO-B200 / ISO-B250 / ISO-B320
VG 法蘭標準
VG200 / VG250 / VG300 / VG350
排氣口法蘭
KF40 / KF50 彈性配置

自主研發專業五軸磁浮軸承

搭載原廠先進的 5 軸無接觸式磁浮懸吊機制,運行過程完全無摩擦、零磨損,保證為現代半導體晶圓廠提供 100% 無碳氫化合物污染的極淨超高真空環境。

TGkine 系列產品型號命名解碼

TGkine [規格尺寸] M [排氣口] [進氣口規格] [冷卻方式] [表面處理] [控制規格]

請參考下方結構化選型定義區塊,用以解碼或配置最符合您機台製程應用的真空核心組件:

規格與額定流量

170: 1650 L/s (搭配 200A 進氣口)
220: 2200 L/s (搭配 250A 進氣口)
330 / 340: 3300 L/s (300A/350A)
380 / 420: 3600 / 4200 L/s 高真空規格

法蘭接口與冷卻

排氣口法蘭: 4 (KF40) / 5 (KF50)
進氣法蘭型式: B (ISO-B) / V (VG 法蘭)
冷卻系統規格: W (水冷式) / A (氣冷式自冷)

內部抗惡劣環境配置

表面鍍層處理: B (標準型) / C (抗腐蝕製程型)
控制器搭載型: B (內建整合一體型幫浦)
控制器分離型: R (分體式機架型遠端控制)

技術規格矩陣表 (Technical Specification Matrix)

幫浦型號與核心技術參數 TGkine 1700M TGkine 2200M TGkine 3300M TGkine 3400M TGkine 3800M TGkine 4200M
氮氣抽氣速率 (Volume Flow Rate - N2) 1650 L/s 2200 L/s 3300 L/s 3300 L/s 3600 L/s 4200 L/s
進氣口法蘭標準 (Inlet Flange) ISO-B200 / VG200 ISO-B250 / VG250 ISO-B320 / VG300 僅支援 VG350 ISO-B320 / VG300 僅支援 VG350
排氣口法蘭規格 (Outlet Flange) KF40 / KF50 KF40 / KF50 KF40 / KF50 KF40 / KF50 KF40 / KF50 KF40 / KF50
壓縮比 (Compression Ratio - N2) > 2 × 10⁸ > 2 × 10⁸ > 1 × 10⁸ > 1 × 10⁸ > 2 × 10⁸ > 2 × 10⁸
最大氮氣吞吐量 (Max Throughput) 4400 sccm 4400 / 7000 sccm 2100 / 2600 sccm 2100 / 2600 sccm 2800 sccm 2800 sccm
啟動 / 停機速度時間 (Startup / Shutdown) ≤ 10 分鐘 ≤ 10 分鐘 ≤ 11 / 13 分鐘 ≤ 11 / 13 分鐘 ≤ 12 / 14 分鐘 ≤ 12 / 14 分鐘
輸入電源電壓參數 (Input Voltage) 交流單相 200-240V 交流單相 200-240V 交流單相 200-240V 交流單相 200-240V 交流單相 200-240V 交流單相 200-240V
機台架設方向 (Mounting Orientation) 任意角度皆可架設 任意角度皆可架設 任意角度皆可架設 任意角度皆可架設 僅限垂直架設 僅限垂直架設

* 備註:上述最大氣體吞吐量之實際數據表現,取決於現場管路配置與所搭配之前級輔助幫浦抽速容量(原廠強烈建議搭配之前級幫浦排氣速率應 ≥ 2000 L/min)。

核心高真空目標應用製程

半導體電漿蝕刻製程 (Etching) 化學氣相沉積系統 (CVD / PECVD) 電漿去膠與灰化製程 (Ashing) 高精密濺鍍鍍膜機 (Sputtering) 刀具硬質薄膜離子鍍膜機 (Ion Plating) 太陽能光電晶圓太陽能電池製造 連續式捲繞鍍膜製程 (Roll-to-Roll) 國家級前瞻物理與高能科學研發 (R&D)

技術支援與在地化服務

九德松益(Cutes Corp)自1998年起,為日本大阪真空(OSAKA VACUUM, LTD)渦輪分子幫浦之臺灣總代理與原廠授權維修服務據點,深耕臺灣。

結合九德松益逾半世紀在台灣工業真空領域的厚實根基,與日本大阪真空(Osaka Vacuum)享譽國際的先進磁浮真空工程技術,我們不僅能針對廠端機台提供最精準的客製化高真空管路規劃,更在臺灣本地常設原廠授權的技術維修據點與專業工程團隊。提供高效率、原廠級的幫浦檢修、定期防禦維護(PM)與零組件即時備貨支援,為半導體晶圓廠與高階薄膜產線帶來最具時效性與信賴度的在地後盾。

高度通訊整合 (EtherCAT)
完整支援 EtherCAT 等多種智慧工業通訊協定,輕鬆對接晶圓廠中央控管系統
智能溫控管理 (TMS)
專利防沉積高溫型設計,有效防止嚴苛製程氣體於幫浦內部冷凝結晶