producto
TGkine series(Magnetically Levitated with Integrated Control Unit Type)
. Sin interconexión de cable/conductor de cables, ni necesita de montar estante, facilidad de instalación y ahorro de costos del sistema.
. Con muy buena función de equilibrio para un amplio alcance del proceso de vacío
. Puede ser iniciado simultáneamente con la bomba de respaldo en serie desde la atmósfera, reducido el tiempo de iniciar la bomba.
. Diseño patentado para el proceso de grabando.
. Control de velocidad de rotación variable (110 rps - 450 rps) sobre la marcha.
Serie TGkine · Bomba Turbomolecular de Levitación Magnética (Magnetically Levitated Turbo Molecular Pump)
TGkine 1700M ~ 4200M
Bombas de Alto Vacío Compuestas
Equipada con la tecnología de bomba molecular compuesta de última generación, ofrece ventajas de espacio altamente integradas, el mayor rendimiento de gas de la industria y un sistema de control de rodamientos magnéticos de 5 ejes ultra estable, diseñada específicamente para procesos exigentes de semiconductores y películas delgadas avanzadas.
Resumen de Rendimiento (Performance Overview)
Configuraciones de Sistema Doble TGkine
Ventajas Técnicas Clave (Key Technical Features)
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Controlador Integrado y Fuente de Alimentación a Bordo
El cuerpo de la bomba integra directamente el controlador y la fuente de alimentación. Elimina los complejos cables de interconexión, ductos de cableado y bastidores externos, simplificando drásticamente el diseño interno de la herramienta y reduciendo costos de sistema.
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Rendimiento de Vacío Altamente Equilibrado
Ofrece una estabilidad operativa excepcional a lo largo de un rango de procesos de vacío extremadamente amplio. Combina una estructura avanzada de álabes compuestos para proporcionar un perfil de velocidad de bombeo y una presión óptmos.
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Arranque Rápido Simultáneo desde Presión Atmosférica
Se puede enclavar con la bomba de respaldo para arrancar simultáneamente desde condiciones de presión atmosférica, acortando significativamente el tiempo de evacuación inicial (Pump down time) y maximizando el rendimiento del ciclo de producción.
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Diseño Estructural Patentado para Procesos de Grabador (Etching)
Cuenta con un diseño patentado y optimizado específicamente para procesos de ataque químico corrosivo (Etching). Equipado con un control térmico interno (TMS) de alta eficiencia y recubrimientos especiales anticorrosión para erradicar el riesgo de deposición de subproductos gaseosos.
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Control de Frecuencia Variable de Rotación en Tiempo Real
Soporta el ajuste dinámico de la velocidad de rotación (110 rps - 450 rps) en pleno funcionamiento, permitiendo a los ingenieros de procesos adaptar de forma flexible la eficiencia de bombeo según las necesidades de presión del microentorno.
Bridas de Admisión (Vacuum Interface)
Rodamientos Magnéticos de 5 Ejes de Desarrollo Propio
Equipada con un mecanismo avanzado de suspensión magnética activa de 5 ejes sin contacto. El funcionamiento libre de fricción garantiza cero desgaste y un entorno de vacío ultra limpio, 100% libre de hidrocarburos, indispensable para las fábricas de semiconductores modernas.
Decodificación del Código de Modelo de la Serie TGkine
TGkine [Tamaño/Clasificación] M [Escape] [Brida de Admisión] [Enfriamiento] [Tratamiento Superficial] [Controlador]
Consulte los bloques de configuración estructural a continuación para decodificar o seleccionar los componentes clave de vacío que mejor se adapten a sus herramientas de proceso:
170: 1650 L/s (Con admisión de 200A)
220: 2200 L/s (Con admisión de 250A)
330 / 340: 3300 L/s (300A/350A)
380 / 420: Especificaciones de alto flujo de 3600 / 4200 L/s
Brida de escape: 4 (KF40) / 5 (KF50)
Tipo de admisión: B (ISO-B) / V (Brida VG)
Sistema de enfriamiento: W (Por agua) / A (Por aire por autorrefrigeración)
Tratamiento de superficie: B (Tipo Estándar) / C (Tipo Anticorrosión de Proceso)
Montaje de controlador: B (Bomba integrada todo en uno)
Separación de controlador: R (Control remoto de bastidor independiente)
Matriz de Especificaciones Técnicas (Technical Specification Matrix)
| Modelo de Bomba y Parámetros Técnicos | TGkine 1700M | TGkine 2200M | TGkine 3300M | TGkine 3400M | TGkine 3800M | TGkine 4200M |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Velocidad de bombeo de nitrógeno (Volume Flow Rate - N2) | 1650 L/s | 2200 L/s | 3300 L/s | 3300 L/s | 3600 L/s | 4200 L/s |
| Estándar de brida de admisión (Inlet Flange) | ISO-B200 / VG200 | ISO-B250 / VG250 | ISO-B320 / VG300 | Solo VG350 | ISO-B320 / VG300 | Solo VG350 |
| Especificación de brida de escape (Outlet Flange) | KF40 / KF50 | KF40 / KF50 | KF40 / KF50 | KF40 / KF50 | KF40 / KF50 | KF40 / KF50 |
| Relación de compresión (Compression Ratio - N2) | > 2 × 10⁸ | > 2 × 10⁸ | > 1 × 10⁸ | > 1 × 10⁸ | > 2 × 10⁸ | > 2 × 10⁸ |
| Rendimiento máximo de nitrógeno (Max Throughput) | 4400 sccm | 4400 / 7000 sccm | 2100 / 2600 sccm | 2100 / 2600 sccm | 2800 sccm | 2800 sccm |
| Tiempo de arranque / parada (Startup / Shutdown) | ≤ 10 min | ≤ 10 min | ≤ 11 / 13 min | ≤ 11 / 13 min | ≤ 12 / 14 min | ≤ 12 / 14 min |
| Voltaje de entrada (Input Voltage) | CA monofásica 200-240V | CA monofásica 200-240V | CA monofásica 200-240V | CA monofásica 200-240V | CA monofásica 200-240V | CA monofásica 200-240V |
| Orientación del equipo (Mounting Orientation) | Instalación en cualquier ángulo | Instalación en cualquier ángulo | Instalación en cualquier ángulo | Instalación en cualquier ángulo | Solo vertical | Solo vertical |
* Nota: Los valores de rendimiento máximo de gas reales dependen de las configuraciones de tuberías del sitio y de la capacidad de la bomba auxiliar previa seleccionada (El fabricante recomienda encarecidamente velocidades de bomba de respaldo ≥ 2000 L/min).
Procesos Clave de Aplicación de Alto Vacío
Soporte Técnico y Servicio Localizado
Desde 1998, Cutes Corp se ha desempeñado formalmente como el distribuidor exclusivo y centro de servicio técnico autorizado en Taiwán para las bombas turbomoleculares de OSAKA VACUUM, LTD.
Combinando más de medio siglo de sólida experiencia de Cutes Corp en el campo del vacío industrial en Taiwán con la renombrada tecnología de ingeniería de vacío magnético activo de Osaka Vacuum de Japón, no solo proporcionamos la planificación de líneas de alto vacío personalizada más precisa para sus herramientas, sino que también mantenemos un centro de servicio técnico certificado por fábrica permanentemente en Taiwán. Ofrecemos mantenimiento preventivo (PM), reparaciones generales con estándares originales y un despliegue inmediato de componentes de repuesto, sirviendo como el aliado local más confiable para las plantas de semiconductores y líneas de película delgada avanzada.
Soporte nativo completo para EtherCAT y diversos protocolos industriales inteligentes, facilitando la conexión directa con el sistema de control central de la fábrica.
Diseño patentado para altas temperaturas que previene activamente la condensación y cristalización de gases de proceso severos en el interior de la bomba.