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產品介紹

TG-M系列(全磁浮式)

TG-M系列(全磁浮式)

型號:TG-M
規格:TG390M~TG2400M
360度任意角度安裝
不需潤滑油、非常適合用於半導體製程等需要潔淨的真空環境
磁浮式設計、軸承不會磨耗、不需訂定保養週期
可配合製程條件控制轉速
針對特殊製程、使用環境提供特殊規格(蝕刻、極低震動、超高真空、耐放射線等)

TG-M 系列 · 全磁浮式複合分子幫浦 (Magnetically Levitated Compound Molecular Pumps)

TG-M  390M~2400M
晶圓級全磁浮真空幫浦

採用日本高階五軸磁浮懸吊技術,達成 100% 完全無油(Oil-free)的超潔淨真空環境。具備大氣突入耐受結構與數位聯鎖診斷防護,是半導體前段黃光、蝕刻及薄膜製程機台的最佳核心組件。

日本大阪真空 臺灣官方代理・維修據點|九德松益 排氣速度:340 – 2,400 L/s (N2) 架設彈性:360度任意角度自由安裝 原廠保證:機械零磨損・免訂定保養週期

效能指標總覽 (Performance Overview)

最小抽氣速率
340
L/s (TG390M 氮氣基準)
最大抽氣速率
2,400
L/s (TG2400M 氮氣基準)
高臨界背壓
Up to 350
Pa (寬廣的工作壓力範圍)
智慧整合控制
100%
通用型數位控制器相容

TG-M 系列模組優勢

零磨損磁浮式無接觸結構
軸承形式五軸主動式數位磁浮軸承
保養需求完全無機械摩擦,不需訂定定期保養週期
運轉壽命大幅降低部件耗損,顯著優於傳統機械培林幫浦
安全防護內建備用保護軸承,提供異常斷電時的安全煞車
全方位360度任意角度安裝
空間布局完全無安裝限制,可隨機台管路 360° 翻轉
精巧設計機身尺寸微縮最大化,完美整合進現有半導體設備
系統相容控制器免選型 (Model Coupling Free) 具自動校正功能
預警診斷內建自動故障預警診斷功能,並具備故障歷史記憶

核心技術優勢 (Key Technical Features)

  •  

    100% 無油超潔淨真空環境

    磁浮轉子內部不需任何潤滑油。完全杜絕油分子逆流至製程腔體(Chamber)的風險,非常適合用於對潔淨真空環境有嚴苛要求的半導體前段製程與高階面板生產線。

  •  

    全時動態製程變頻轉速控制

    系統可直接配合不同的製程製程條件控制轉速。根據腔體抽氣與化學氣體反應階段,靈活動態調校最佳旋轉頻率,確保壓力平衡與製程品質。

  •  

    高適應性惡劣環境特殊規格客製

    針對多種特殊製程與極端環境,大阪真空提供全系列特殊規格客製服務:包含抗副產物冷凝之反應型蝕刻規格極低震動規格 (UFRC)超高真空規格,以及核能/物理研究專用的耐放射線規格

  •  

    強韌的高壓大氣突入耐受力

    配備專利強化葉片結構,針對真空系統中經常發生的「非預期性大氣破真空突入(Air Inrush)」具備優異的機械耐受剛性,大幅降低晶圓產線因異常破真空導致的斷裂損壞。

  •  

    主動式不平衡力拒斥減震技術 (UFRC)

    導入獨家 UFRC (Unbalance Force Rejection Control) 技術,能全時主動偵測轉子微幅動平衡偏差,並藉由磁浮力即時抵消運轉震動,達成近乎完美的「零震動」超靜音運行環境。

製程特殊規格選型 (Special Executions)

抗沉積蝕刻規格
反應氣體防護/加熱控溫
極低震動規格
UFRC 晶圓曝光與檢測機專用
超高真空規格
極限真空 < 10⁻⁸ Pa 達成

預防性保養提示 (Maintenance Call)

系統控制器具備先進的維護提前預警功能。在設備壽命或耗損可能發生故障前即發出提示,讓工程團隊能提早於排定 PM 時間處理,大幅降低晶圓線非預期停機之重大損失。

TG-M 系列複合分子幫浦產品型號命名解碼

TG [排氣速容量] M [進氣口法蘭規格] [內部特殊製程規格代碼]

請參考下方結構化選選型定義,用以配置最符合您原廠機台或真空腔體需求的客製化全磁浮組件:

型號與抽速尺寸

TG390M: 抽氣速率 340 L/s
TG1100M: 抽氣速率 1100 L/s
TG1300M: 抽氣速率 1300 L/s
TG2400M: 高產能大流量 2400 L/s

進氣口法蘭標準

VG / VG-F: 日本工業標準真空法蘭接口
ISO / ISO-F: 國際標準夾緊式/螺栓型法蘭
CF (ConFlat): 超高真空(UHV)專用金屬刀口法蘭接口

環境與功能代碼

B (By-product resistant): 專利抗化學反應副產物沉積型
V (Ultra-low vibration): UFRC 超低微幅震動控制規格型
R (Radiation-hardened): 核能及先端物理專用耐放射線型

技術規格矩陣表 (Technical Specification Matrix)

全磁浮複合分子幫浦型號參數 TG390M TG1100M TG1300M TG2400M
氮氣抽氣速率 (Pumping Speed - N2) 340 L/s 1100 L/s 1300 L/s 2400 L/s
氫氣抽氣速率 (Pumping Speed - H2) 220 L/s 780 L/s 860 L/s 1700 L/s
進氣口法蘭標準 (Inlet Flange Options) VG150 / ISO160 / CF203 VG200 / ISO200 / CF253 VG250 / ISO250 / CF305 VG300 / ISO300
極限到達壓力 - 標準型 (Ultimate Pressure) < 10⁻⁷ Pa (CF法蘭) < 10⁻⁷ Pa (CF法蘭) < 10⁻⁷ Pa (CF法蘭) < 10⁻⁶ Pa (VG/ISO法蘭)
極限到達壓力 - 超高真空型 (UHV Type) < 10⁻⁸ Pa (CF專用款) < 10⁻⁸ Pa (CF專用款) < 10⁻⁸ Pa (CF專用款)
最大臨界背壓耐受度 (Max Backing Pressure) 350 Pa 270 Pa 220 Pa 200 Pa
軸承懸吊控制技術 (Bearings System) 5軸主動式控制磁浮軸承 5軸主動式控制磁浮軸承 5軸主動式控制磁浮軸承 5軸主動式控制磁浮軸承
機台架設容許角度 (Mounting Orientation) 360度任意全方位安裝 360度任意全方位安裝 360度任意全方位安裝 360度任意全方位安裝

* 備註:全系列型號均配備 RS232C 序列通訊界面(可選配 RS485),且全面相容於共通型數位化控制器,內建智慧調校(Auto Calibration)技術。

高潔淨度目標高真空製程

半導體黃光曝光與極紫外光製程 (EUV / Lithography) 先進半導體電漿蝕刻製程 (Dry Etching) 電子顯微鏡與高解析度晶圓檢測設備 (SEM / TEM) 分子束外延磊晶成長系統 (MBE) 超高真空表面分析儀器 (XPS / AES) OLED / 新世代顯示面板精密鍍膜 高能粒子物理加速器實驗室 耐放射線核能與宇宙環境航太模擬

技術支援與在地化服務

九德松益(Cutes Corp)自1998年起,為日本大阪真空(OSAKA VACUUM, LTD)渦輪分子幫浦之臺灣總代理與原廠授權維修服務據點,深耕臺灣。

結合九德松益逾半世紀在台灣工業真空領域的厚實根根基,與日本大阪真空(Osaka Vacuum)享譽國際的 TG-M 全磁浮軸承控制技術,我們不僅能針對廠端機台與研究單位提供最精準的客製化超高真空管路規劃、減震模擬與選選型,更在臺灣本地常設原廠授權的技術維修據點與專業工程團隊。提供高效率、原廠規格的無油幫浦檢修、定期防禦維護(PM)與零組件即時備貨支援,為半導體晶圓廠與前瞻科研產線帶來最具時效性與信賴度的在地後盾。

共通型數位控制器
打破傳統型號鎖定限制,全系列機型共用相同數位控制箱,內建自動感測器調校技術,大幅降低備庫成本。
UFRC 主動式減震
大阪真空專利 Unbalance Force Rejection Control 控制演算法,將動態不平衡轉震動降至極微幅極限,完美對接曝光與量測工具。